规格书 |
BC84xxLTx, BC850xLT1 Series |
文档 |
Glue Mount Process 11/July/2008 Gold to Copper Wire 08/May/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Wire Change 08/May/2007 |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 600mV @ 5mA, 100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 200 @ 2mA, 5V |
功率 - 最大 | 225mW |
频率转换 | 100MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3SOT-23 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 45 V |
集电极最大直流电流 | 0.1 A |
最小直流电流增益 | 200@2mA@5V |
最大工作频率 | 100(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA V |
最大集电极基极电压 | 50 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 300 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 100mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 100MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 600mV @ 5mA, 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
功率 - 最大 | 225mW |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 200 @ 2mA, 5V |
其他名称 | BC847BLT1GOSTR |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Bipolar Small Signal |
配置 | Single |
外形尺寸 | 0.94 x 2.9 x 1.3mm |
身高 | 0.94mm |
长度 | 2.9mm |
最大的基射极饱和电压 | 0.9 V |
最大基地发射极电压 | 6 V |
最高工作温度 | +150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装类型 | SOT-23 |
宽度 | 1.3mm |
工厂包装数量 | 3000 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.6 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 200 at 2 mA at 5 V |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 45 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | 50 V |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 0.1 A |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :45V |
Transition Frequency ft | :100MHz |
功耗 | :225mW |
DC Collector Current | :100mA |
DC Current Gain hFE | :200 |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :SOT-23 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
Weight (kg) | 0.000033 |
Tariff No. | 85412900 |
Collector Emitter Voltage Vces | :200V |
Current Ic Continuous a Max | :100mA |
Gain Bandwidth ft Typ | :100MHz |
Hfe Min | :450 |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
端接类型 | :SMD |
Current,Collector | 100mA |
Current,Gain | 450 |
频率 | 100MHz |
PackageType | SOT-23 |
极性 | NPN |
PowerDissipation | 225mW |
PrimaryType | Si |
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 45V |
Voltage,CollectortoBase | 50V |
Voltage,CollectortoEmitter | 45V |
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 0.6V |
Voltage,EmittertoBase | 6V |
案例 | SOT23 |
Transistor type | NPN |
极化 | bipolar |
Multiplicity | 3000 |
Collector-emitter voltage | 50V |
Gross weight | 1 g |
Package type | roll |
Collector current | 100mA |
spg | 3000 |
Collective package [pcs] | 3000 |
Quantity in package | 3000pcs. |
associated | BC847B BC847BLT1G BC847BLT1G. |
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